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热烈祝贺我公司单晶像氧化镓研制成功
氧化镓( Ga2O3) 在室温下作为一类重要的半导体具有特殊的性能，禁带宽度Eg = 4． 9eV，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的特别关注。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景。由于氧化镓的性能受到Ga2O3颗粒尺寸和形貌的影响，因此大量的研究工作是在控制合成具有一定形状氧化镓晶体。
在韩国、日本相关公司的大力支持下，公司投入近100万元，经过半年的反复试验于2012年3月16日成功研制出纳米氧化镓单晶。该单晶为长径比1:3--1:5的分散性优异的棒状形貌，已经得到韩国及日本公司的高度认可。该单晶广泛应用于Ga基半导体材料的绝缘层及第8.5代薄膜晶体管显示器件（TFT-LCD），以及紫外线滤光片、气敏传感器、催化剂和光电器件。公司近期将投入正常的规模化生产，至2012年底生产规模将达到20吨/年。
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